công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW7NB80 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STW7NB80 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 8 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on Time Rise Time VDD =400 V ID =3 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 19 9 ns ns Qg Q gs Qgd Tot al G ate Charge Gat e-Source Charge Gat e-Drain Charge VDD = 640 V ID =6 A VGS =10 V RG =4.7 Ω VGS =10 V 33 11 14 47 nC nC nC SWITCHING OFF Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit tr(Voff) tf tc Off -volt age Rise T ime Fall T ime Cross-over Time VDD =640 V ID =6 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 11 9 16 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM ( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 6. 5 26 A A VSD ( ∗)Forward On Voltage ISD =6 A VGS =0 1. 6 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD =6 A di/dt = 100 A/ µs VDD = 100 V Tj =150 oC 700 5.8 16.5 ns µC A ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area Safe Operating Area Thermal Impedance STW7NB80 3/8 |
Số phần tương tự - STW7NB80 |
|
Mô tả tương tự - STW7NB80 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |