STH18NB40 datasheet(2/7 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	STH18NB40

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET

Download	7 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

2 / 7 page

STW18NB40/STH18NB40FI

2/7

THERMAL DATA

AVALANCHE CHARACTERISTICS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)

OFF

ON (1)

DYNAMIC

TO-247

ISOWATT218

Rthj-case

Thermal Resistance Junction-case Max

0.66

1.56

°C/W

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient Max

30

°C/W

Rthc-sink

Thermal Resistance Case-sink Typ

0.1

°C/W

Tl

Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose

300

°C

Symbol

Parameter

Max Value

Unit

IAR

Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive

(pulse width limited by Tj max)

18.4

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy

(starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V)

450

mJ

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V(BR)DSS

Drain-source

Breakdown Voltage

ID = 250 µA, VGS = 0

400

V

IDSS

Zero Gate Voltage

Drain Current (VGS = 0)

VDS = Max Rating

1µA

VDS = Max Rating, TC = 125 °C

50

µA

IGSS

Gate-body Leakage

Current (VDS = 0)

VGS = ±30V

±100

nA

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

VDS = VGS, ID = 250 µA

34

5

V

RDS(on)

Static Drain-source On

Resistance

VGS = 10V, ID = 6.2 A

0.19

0.26

Ω

ID(on)

On State Drain Current

VDS > ID(on) x RDS(on)max,

VGS =10V

18.4

A

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

gfs (1)

Forward Transconductance

VDS > ID(on) x RDS(on)max,

ID = 9.2 A

9.3

S

Ciss

Input Capacitance

VDS = 25V, f = 1 MHz, VGS = 0

2480

pF

Coss

Output Capacitance

435

pF

Crss

Reverse Transfer

Capacitance

47

pF

Số phần tương tự - STH18NB40

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STH180N10F3-2	957Kb / 15P	N-channel 100 V, 3.9 milliohm, 180 A, H2PAK-2 STripFET III Power MOSFET
	STH180N10F3-6	665Kb / 15P	Switching applications November 2014 Rev 4
	STH185N10F3-2	587Kb / 15P	Switching applications October 2016 Rev 3
	STH185N10F3-6	919Kb / 16P	Ultra low on-resistance October 2016 Rev 2

More results

Mô tả tương tự - STH18NB40

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STW20NC50	249Kb / 8P	N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 18.4A TO-247 PowerMesh?줚I MOSFET
	STW13NB60	111Kb / 9P	N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
	STW10NC60	337Kb / 9P	N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh?줚I MOSFET
	STW15NB50	110Kb / 9P	N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
	STW8NB90	311Kb / 9P	N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh??MOSFET
	STW16NA40	73Kb / 6P	N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
	STW5NB90	85Kb / 8P	N - CHANNEL 900V - 2.3ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MOSFET
	STW6NB90	51Kb / 5P	N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
	STU9NB80	82Kb / 8P	N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
	STW50NB20	88Kb / 8P	N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET

More results

STH18NB40 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics

STH18NB40 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics

Số phần tương tự - STH18NB40

Mô tả tương tự - STH18NB40

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

bảng dữ liệu tải về

Link URL