công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH8003CY bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
STTH8003CY bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 3 page Symbol Parameter Tests Conditions Min. Typ. Max. Unit IR * Reverse leakage current VR = 300 V Tj = 25 °C80 µA Tj = 125 °C 80 800 VF ** Forward voltage drop IF = 40 A Tj = 25 °C 1.25 V Tj = 125 °C 0.85 1 Pulse test : * tp = 5 ms, δ <2 % ** tp = 380 µs, δ <2% To evaluate the maximum conduction losses use the following equation : P = 0.75 x IF(AV) + 0.0062 IF(RMS) 2 STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Parameter Value Unit Rth (j-c) Junction to case thermal resistance Per diode Total 0.8 0.5 °C/W Rth (c) Coupling 0.2 °C/W THERMAL RESISTANCES Symbol Tests Conditions Min. Typ. Max. Unit trr IF = 0.5 A Irr = 0.25 A IR = 1 A Tj=25 °C 50 ns IF =1 A dIF/dt = - 50 A/ µsVR =30 V 60 IRM Vcc = 200 V IF =40 A dIF/dt = -200 A/ µs Tj = 125 °C13 A Sfactor 0.3 - tfr IF =40 A dIF/dt = 200 A/ µs, VFR = 1.1 x VF max Tj=25 °C 450 ns VFP 5V DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS STTH8003CY 2/3 |
Số phần tương tự - STTH8003CY |
|
Mô tả tương tự - STTH8003CY |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |