công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH2003CG bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STTH2003CG bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 8 page 4/8 STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP 25 50 75 100 125 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 Tj(°C) IRM S factor Fig. 7: Relative variation of dynamic parameters versus junction temperature (reference: Tj = 125°C). 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0 2 4 6 8 10 V (V) FP IF=IF(av) Tj=125°C dIF/dt(A/µs) Fig. 8: Transient peak forward voltage versus dIF/dt (90% confidence, per diode) (TO-220AB). 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0 100 200 300 400 500 t (ns) fr VFR=1.1*VF max. IF=IF(av) Tj=125°C dIF/dt(A/µs) Fig. 9: Forward recovery time versus dIF/dt (90% confidence, per diode). 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Rth(j-a) (°C/W) S(Cu) (cm²) Fig. 10: Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (Epoxy printed circuit board FR4, copper thickness: 35 µm) (D 2PAK). 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 S factor VR=200V Tj=125°C dIF/dt(A/µs) Fig. 6: Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt (typical values, per diode). |
Số phần tương tự - STTH2003CG |
|
Mô tả tương tự - STTH2003CG |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |