công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STI30NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STI30NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N,STP30NM60N,STW30NM60N Electrical characteristics 5/18 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off-delay time Fall time VDD = 300 V, ID = 12.5 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 18) 20 24 125 70 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 25 100 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 25 A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 25 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 100 V (see Figure 23) 540 10 36 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 25 A, di/dt = 100 A/µs VDD= 100 V Tj = 150°C (see Figure 23) 630 12 36 ns µC A |
Số phần tương tự - STI30NM60N |
|
Mô tả tương tự - STI30NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |