công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SK1636 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Renesas Technology Corp |
|
2SK1636 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Renesas Technology Corp |
4 / 8 page 2SK1636(L), 2SK1636(S) Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7 1.0 40 160 Case Temperature TC (°C) 0.8 0.2 0 80 120 0 0.4 0.6 Static Drain to Source on State Resistance vs. Temperature –40 Pulse Test VGS = 10 V ID = 15 A 10 A 5 A 50 50 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current 0.5 20 10 5 2 1 0.5 Drain Current ID (A) 12 5 10 20 VDS = 10 V Pulse Test TC = –25°C 25 °C 75 °C 1,000 50 Reverse Drain Current IDR (A) Body to Drain Diode Reverse Recovery Time 0.5 200 100 20 10 12 5 10 20 di/dt = 100 A/ µs, Ta = 25°C VGS = 0 500 50 10,000 20 50 Drain to Source Voltage VDS (V) 10 30 40 Typical Capacitance vs. Drain to Source Voltage 0 1,000 100 10 VGS = 0 f = 1 MHz Crss Coss Ciss 500 40 100 Gate Charge Qg (nc) Dynamic Input Characteristics 400 100 20 60 80 0 200 300 20 16 4 0 8 12 VDD = 50 V 100 V 200 V VDD = 200 V 100 V 50 V ID = 15 A VGS VDS 500 20 Drain Current ID (A) 0.2 Switching Characteristics 200 100 50 20 10 5 0.5 2 5 110 VGS = 10 V, PW = 2 µs duty < 1% td (off) tf td (on) tr |
Số phần tương tự - 2SK1636 |
|
Mô tả tương tự - 2SK1636 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |