công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB19NM65NT4 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
STB19NM65NT4 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 19 page Electrical characteristics STB19NM65N-STI19NM65N-STF19NM65N-STP/W19NM65N 6/19 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD =325 V, ID = 7.75 A RG =4.7 Ω VGS = 10 V (see Figure 18) 25 8 80 26 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 15.5 62 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 15.5 A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 15.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V, Tj = 25 °C (see Figure 20) 460 6 27 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 15.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 100 V, Tj = 150°C (see Figure 20) 600 8 27 ns µC A |
Số phần tương tự - STB19NM65NT4 |
|
Mô tả tương tự - STB19NM65NT4 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |