công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDD6680AS bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDD6680AS bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
4 / 8 page FDD6680AS Rev A1 (X) Typical Characteristics 0 20 40 60 80 100 00.5 11.5 2 2.5 3 VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) 2.5V 4.5V VGS = 10V 3.5V 3.0V 4.0V 6.0V 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 0 2040 6080 100 ID, DRAIN CURRENT (A) VGS = 3.0V 6.0V 3.5V 4.0V 10V 4.5V 5.0V Figure 1. On-Region Characteristics. Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( oC) ID = 12.5A VGS =10V 0.008 0.014 0.02 0.026 0.032 24 68 10 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) ID = 6.3A TA = 125 oC TA =25 oC Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature. Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0 20 40 60 80 100 11.5 22.5 33.5 44.5 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) TA = 125 oC 25 oC -55 oC VDS = 5V 0.01 0.1 1 10 100 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) TA = 125 oC 25 oC -55 oC VGS = 0V Figure 5. Transfer Characteristics. Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature. |
Số phần tương tự - FDD6680AS |
|
Mô tả tương tự - FDD6680AS |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |