công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

STP16NE06LFP bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STP16NE06LFP
Giải thích chi tiết về linh kiện  N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
Download  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STP16NE06LFP bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics

  STP16NE06LFP Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STP16NE06LFP Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 7 page
background image
THERMAL DATA
T O-220
T O-220F P
Rthj-ca se
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.5
5
oC/W
Rthj- amb
Rthc- si nk
Tl
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
62.5
0.5
300
oC/W
oC/W
oC
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symb ol
Parameter
Max Valu e
Uni t
IAR
Avalanche Current , Repet itive or Not -Repetitive
(pulse widt h limited by Tj max,
δ <1%)
16
A
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting Tj =25
oC, ID =IAR,VDD =25 V)
80
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25
oC unless otherwise specified)
OFF
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
V(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Volt age
ID = 250
µAVGS =0
60
V
IDSS
Zero Gat e Voltage
Drain Current (VGS =0)
VDS =Max Rating
VDS =Max Rating
Tc =125
oC
1
10
µA
µA
IGSS
Gate-body Leakage
Current (VDS =0)
VGS =
± 15V
æ 100
nA
ON (
∗)
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
VGS(th)
Gate T hreshold Voltage VDS =VGS
ID =250
µA2
3
4
V
RDS(on)
St atic Drain-source On
Resistance
VGS =5V
ID =8 A
VGS = 10V
ID =8 A
0.090
0.12
ID(o n)
On Stat e Drain Current
VDS >ID(on) xRDS(on) max
VGS =10 V
16
A
DYNAMIC
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
gfs (
∗)Forward
Transconductance
VDS >ID(on) xRDS(on) max
ID =8 A
6
S
Ciss
Coss
Crss
Input Capacitance
Output Capacit ance
Reverse Transfer
Capacitance
VDS = 25V
f = 1MHz
VGS = 0
800
100
50
pF
pF
pF
STP16NE06L/FP
2/7


Số phần tương tự - STP16NE06LFP

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
STMicroelectronics
STP16NE06 STMICROELECTRONICS-STP16NE06 Datasheet
337Kb / 9P
   N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP16NE06FP STMICROELECTRONICS-STP16NE06FP Datasheet
337Kb / 9P
   N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
More results

Mô tả tương tự - STP16NE06LFP

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
STMicroelectronics
STB60NE06-16 STMICROELECTRONICS-STB60NE06-16 Datasheet
115Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB80NE06-10 STMICROELECTRONICS-STB80NE06-10 Datasheet
94Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NE06 STMICROELECTRONICS-STP55NE06 Datasheet
120Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP80NE06-10 STMICROELECTRONICS-STP80NE06-10 Datasheet
92Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STD20NE06 STMICROELECTRONICS-STD20NE06 Datasheet
96Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STD20NE03L STMICROELECTRONICS-STD20NE03L Datasheet
105Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STP60NE03L-10 STMICROELECTRONICS-STP60NE03L-10 Datasheet
99Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB55NE06 STMICROELECTRONICS-STB55NE06 Datasheet
98Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STB55NE06L STMICROELECTRONICS-STB55NE06L Datasheet
55Kb / 5P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE03L-10 STMICROELECTRONICS-STB60NE03L-10 Datasheet
99Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL




Chính sách bảo mật
ALLDATASHEET.VN
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com