công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP16N10L bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STP16N10L bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 5 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on Time Rise Time VDD = 50 V ID = 8 A RG = 4.7 Ω VGS = 5 V 15 40 20 55 ns ns Qg Qgs Qgd Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD = 80 V ID = 16 A VGS = 5 V 20 6 10 30 nC nC nC SWITCHING OFF Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit tr(Voff) tf tc Off-voltage Rise Time Fall Time Cross-over Time VDD = 80 V ID = 16 A RG = 4.7 Ω VGS = 5 V 12 12 25 18 18 35 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 16 64 A A VSD ( ∗) Forward On Voltage ISD = 16 A VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 16 A di/dt = 100 A/ µs VDD = 30 V Tj = 150 oC 145 580 8 ns µC A ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area STP16N10L 3/5 |
Số phần tương tự - STP16N10L |
|
Mô tả tương tự - STP16N10L |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |