công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN4NF03 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STN4NF03 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 8 page 3/8 STN4NF03L Thermal Impedence Junction-PCB ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED) SWITCHING ON SWITCHING OFF SOURCE DRAIN DIODE Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %. 2. Pulse width limited by safe operating area. Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) Turn-on Delay Time VDD =15 V,ID =2 A RG = 4.7Ω VGS =4.5 V (see test circuit, Figure 3) 11 ns tr Rise Time 100 ns Qg Qgs Qgd Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD =24 V,ID =4 A, VGS =10 V 6.5 3.6 2 9nC nC nC Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit td(off) Turn-off-Delay Time VDD =15 V,ID =2 A, RG =4.7Ω, VGS = 4.5 V (see test circuit, Figure 3) 25 ns tf Fall Time 22 ns Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (2) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 6.5 26 A A VSD (1) Forward On Voltage ISD = 6.5 A, VGS =0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 6.5 A, di/dt = 100 A/µs, VDD =15 V,Tj = 150°C (see test circuit, Figure 5) 35 25 1.4 ns nC A Safe Operating Area |
Số phần tương tự - STN4NF03 |
|
Mô tả tương tự - STN4NF03 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |