công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD25NF10 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STD25NF10 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 9 page 3/9 STD25NF10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED) SWITCHING ON SWITCHING OFF SOURCE DRAIN DIODE Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %. 2. Pulse width limited by safe operating area. Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) Turn-on Delay Time VDD = 50V, ID = 12.5 A RG = 4.7Ω VGS = 10V (see test circuit, Figure 3) 17 ns tr Rise Time 60 ns Qg Total Gate Charge VDD = 80V, ID =25A,VGS = 10V 55 nC Qgs Gate-Source Charge 12 nC Qgd Gate-Drain Charge 20 nC Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit td(off) tf Turn-off-Delay Time Fall Time VDD = 50V, ID = 12.5 A, RG =4.7Ω, VGS = 10V (see test circuit, Figure 3) 60 15 ns ns Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain Current 25 A ISDM (1) Source-drain Current (pulsed) 100 A VSD (2) Forward On Voltage ISD = 25 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 25 A, di/dt = 100A/µs, VDD = 50V, Tj = 150°C (see test circuit, Figure 5) 160 ns nC A Thermal Impedence Safe Operating Area |
Số phần tương tự - STD25NF10 |
|
Mô tả tương tự - STD25NF10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |