công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGB19NC60KD bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STGB19NC60KD bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 17 page Electrical characteristics STGB19NC60KD - STGF19NC60KD - STGP19NC60KD 4/17 2 Electrical characteristics (TCASE = 25 °C unless otherwise specified) Table 4. Static Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage (VGE= 0) IC = 1 mA 600 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 12 A VGE = 15 V, IC = 12 A, Tc = 125 °C 2.0 1.8 2.75 V V ICES Collector cut-off current (VGE = 0) VCE = 600 V VCE = 600 V, TC = 125 °C 150 1 µA mA VGE(th) Gate threshold voltage VCE = VGE, IC = 250 µA 4.5 6.5 V IGES Gate-emitter leakage current (VCE = 0) VGE = ±20 V ±100 nA gfs (1) 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VCE = 15 V , IC = 12 A 15 S Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Cies Coes Cres Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 1170 127 28 pF pF pF Qg Qge Qgc Total gate charge Gate-emitter charge Gate-collector charge VCE = 480 V, IC = 12 A, VGE = 15 V (see Figure 19) 55 11 26 nC nC nC |
Số phần tương tự - STGB19NC60KD |
|
Mô tả tương tự - STGB19NC60KD |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |