công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF17NF25 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF17NF25 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STI17NF25 - STD17NF25 - STF17NF25 - STP17NF25 Electrical characteristics 5/17 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD=125V, ID=8.5A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 15) 8.8 17.2 ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time VDD=125V, ID=8.5A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 15) 21 8.8 ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 17 68 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=17A, VGS=0 1.6 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 17A, di/dt = 100A/µs, VDD = 50 V, Tj = 25°C (see Figure 17) 157 0.91 11.6 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 17A, di/dt = 100A/µs, VDD = 50 V, Tj=150°C (see Figure 17) 196 1.34 13.7 ns µC A |
Số phần tương tự - STF17NF25 |
|
Mô tả tương tự - STF17NF25 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |