công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN3PF06 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STN3PF06 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 12 page STN3PF06 Electrical characteristics 5/12 Note: For the p-channel Power MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD= 30 V, ID=6 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V (see Figure 13) 20 40 ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time VDD= 30 V, ID=6 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V (see Figure 13) 40 10 ns ns tr(Voff) tf tc Off-voltage rise time Fall time Cross-over time Vclamp= 48 V, ID=12 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V (see Figure 13) 10 17 30 ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by Tjmax Source-drain current Source-drain current (pulsed) 2.5 10 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 1.5 A, VGS = 0 1.2 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 12 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 30 V, Tj =150 °C 100 260 5.2 ns µC A |
Số phần tương tự - STN3PF06 |
|
Mô tả tương tự - STN3PF06 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |