công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGF14NC60KD bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STGF14NC60KD bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 16 page Electrical characteristics STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD 4/16 2 Electrical characteristics (TCASE=25 °C unless otherwise specified) Table 4. Static Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit VBR(CES) Collector-emitter breakdown voltage (VGE= 0) IC= 1 mA 600 V IGES Gate-emitter leakage current (VCE = 0) VGE= ±20 V ±100 nA ICES Collector cut-off current (VGE = 0) VCE= 600 V VCE= 600 V, TC= 125 °C 150 1 µA mA VGE(th) Gate threshold voltage VCE= VGE, IC= 250 µA 4.5 6.5 V VCE(SAT) Collector-emitter saturation voltage VGE= 15 V, IC= 7 A VGE= 15 V, IC= 7 A, TC= 125 °C 2.1 1.8 2.5 V V gfs (1) 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VCE = 15 V , IC = 7 A 3.2 S Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Cies Coes Cres Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE= 0 760 86 15.5 pF pF pF Qg Qge Qgc Total gate charge Gate-emitter charge Gate-collector charge VCE = 390 V, IC = 7 A, VGE = 15 V (see Figure 19) 34.4 8.1 16.4 nC nC nC |
Số phần tương tự - STGF14NC60KD |
|
Mô tả tương tự - STGF14NC60KD |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |