công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW30NM60ND bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STW30NM60ND bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page STP/F30NM60ND - STB30NM60ND - STI30NM60ND - STW30NM60ND Electrical characteristics 5/15 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 25 100 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 25A, VGS = 0 1.6 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 25A, VDD = 60V di/dt=100A/µs (see Figure 4) TBD TBD TBD ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 25A,VDD = 60V di/dt=100A/µs, TJ = 150°C (see Figure 4) TBD TBD TBD ns µC A |
Số phần tương tự - STW30NM60ND |
|
Mô tả tương tự - STW30NM60ND |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |