công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STY80NM60N bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
STY80NM60N bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 9 page Electrical ratings STY80NM60N 2/9 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 600 V VGS Gate- source voltage ±25 V ID Drain current (continuous) at TC = 25 °C 80 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 °C 50.4 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Drain current (pulsed) 320 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 560 W Derating factor 4.48 W/°C dv/dt (2) 2. ISD ≤ 80A, di/dt ≤ 400 A/µs, VDD =80% V(BR)DSS Peak diode recovery voltage slope 15 V/ns Tstg Storage temperature –55 to 150 °C Tj Max. operating junction temperature 150 °C Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case max 0.22 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max 30 °C/W Tl Maximum lead temperature for soldering purpose 300 °C Table 4. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit IAS Avalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by Tj Max) Tbd A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj=25°C, Id=Ias, Vdd=50 V) Tbd mJ |
Số phần tương tự - STY80NM60N |
|
Mô tả tương tự - STY80NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |