công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STQ1NE10L bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STQ1NE10L bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) STQ1NE10L Electrical characteristics 5/13 Table 5. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max Unit ISD Source-drain current 1 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 4 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=1A, VGS=0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 1A, di/dt = 100A/µs, VDD=30V, TJ = 100°C 52 90 3.5 ns nC A |
Số phần tương tự - STQ1NE10L |
|
Mô tả tương tự - STQ1NE10L |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |