công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD49GK14 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Sirectifier Semiconductors |
|
STD49GK14 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Sirectifier Semiconductors |
3 / 4 page STD/SDT49 Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules Fig. 1 Surge overload current I TSM, IFSM: Crest value, t: duration Fig. 2 i2dt versus time (1-10 ms) Fig. 2a Maximum forward current at case temperature Fig. 5 Three phase rectifier bridge: Power dissipation versus direct output current and ambient temperature 100 101 102 103 104 0.1 1 10 I G V G mA 1: I GT, TVJ = 125 C 2: I GT, TVJ = 25 C 3: I GT, TVJ = -40 C V 4: P GAV = 0.5 W 5: P GM = 5 W 6: P GM = 10 W I GD, TVJ = 125 C 3 4 2 1 5 6 Fig. 3 Power dissipation versus on-state current and ambient temperature (per thyristor or diode) Fig. 4 Gate trigger characteristics 10 100 1000 1 10 100 1000 mA I G s t gd Limit typ. T VJ = 25 C Fig. 6 Gate trigger delay time 3 x STD/SDT49 |
Số phần tương tự - STD49GK14 |
|
Mô tả tương tự - STD49GK14 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |