công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF8NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STF8NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STD8NM60N - STD8NM60N-1 - STF8NM60N - STP8NM60N Electrical characteristics 5/17 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 300 V, ID = 3.5 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 18), (see Figure 23) 10 12 40 10 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 7 28 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 7 A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 7 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 30 V, Tj = 25 °C (see Figure 20) 310 2.40 15 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 7A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 30 V, Tj=150°C (see Figure 20) 480 3.50 15 ns µC A |
Số phần tương tự - STF8NM60N |
|
Mô tả tương tự - STF8NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |