công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STFW4N150 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STFW4N150 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page STFV4N150 - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150 Electrical characteristics 5/16 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 4 12 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 4 A, VGS = 0 2V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 4 A, di/dt = 100A/µs VDD = 45V (see Figure 21) 510 3 12 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 4 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 45V, Tj = 150°C (see Figure 21) 615 4 12.6 ns µC A |
Số phần tương tự - STFW4N150 |
|
Mô tả tương tự - STFW4N150 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |