công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB50NF25 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB50NF25 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 14 page STB50NF25 - STP50NF25 Electrical characteristics 5/14 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD = 125 V, ID = 22 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 13) 45 26 ns ns td(off) tf Off-voltage rise time Fall time VDD = 125 V, ID = 22 A, RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V (see Figure 13) 63 20 ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit ISD ISDM Source-drain current Source-drain current (pulsed) 45 180 A A VSD Forward on voltage ISD = 45 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 45 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 60 V (see Figure 18) 198 1.5 15 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 45 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see Figure 18) 256 2.2 17 ns µC A |
Số phần tương tự - STB50NF25 |
|
Mô tả tương tự - STB50NF25 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |