 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BYT60P-400 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
BYT60P-400 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
5 / 7 page  BYT60P-400 / BYT260PIV-400 / BYT261PIV-400 5/7 0 100 200 300 400 500 0 5 10 15 20 25 30 VFP(V) IF=IF(av) 90% confidence Tj=100 °C dIF/dt(A/ µs) Fig. 10: Transient peak forward voltage versus dIF/dt (per diode for ISOTOP). 0 100 200 300 400 500 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 tfr( µs) IF=IF(av) 90% confidence Tj=100 °C dIF/dt(A/ µs) Fig. 11: Forward recovery time versus dIF/dt (per diode for ISOTOP). 0 25 50 75 100 125 150 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 Tj( °C) Qrr;IRM[Tj] / Qrr;IRM[Tj=100 °C] IRM Qrr Fig. 12: Dynamic parameters versus junction temperature. LC DUT VCC IF VF IRM VCC tIRM di F/ dt Fig. 13: Turn-off switching characteristics (without serie inductance). LC DUT VCC LP IF VF VRP VCC di F/dt Fig. 14: Turn-off switching characteristics (with serie inductance). |
Số phần tương tự - BYT60P-400 |
|
Mô tả tương tự - BYT60P-400 |
|
|
|
Link URL |
| Chính sách bảo mật |
| ALLDATASHEET.VN |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
