công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ10 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
BUZ10 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 8 page ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SOURCE DRAIN DIODE Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 23 92 A A VSD ( ∗)Forward On Voltage ISD =46 A VGS =0 1. 9 V trr Qrr Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge ISD = 23 A di/dt = 100 A/ µs VDD =30 V Tj =150 oC 50 0.17 ns µC ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Safe Operating Area Thermal Impedance BUZ10 3/8 |
Số phần tương tự - BUZ10 |
|
Mô tả tương tự - BUZ10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |