công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB13NM50N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB13NM50N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STB13NM50N/-1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N Electrical characteristics 5/17 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD=250V, ID=6A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 17) 30 15 40 10 ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 12 48 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=12A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=12A, VDD=100V di/dt = 100A/µs,Tj=25°C (see Figure 19) 300 3 22 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=12A,VDD=100V di/dt=100A/µs,Tj=150°C (see Figure 19) 370 4 22 ns µC A |
Số phần tương tự - STB13NM50N |
|
Mô tả tương tự - STB13NM50N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |