công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDG332PZ bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDG332PZ bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
4 / 6 page www.fairchildsemi.com 4 ©2007 Fairchild Semiconductor Corporation FDG332PZ Rev.B Figure 7. 0 246 8 0.0 1.5 3.0 4.5 ID = -2.6A VDD = -15V VDD = -5V Qg, GATE CHARGE (nC) VDD = -10V Gate Charge Characteristics Figure8. 0.1 1 10 100 1000 30 20 f = 1MHz VGS = 0V -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Crss Coss Ciss CapacitancevsDrain to Source Voltage Figure 9. 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 10s 1s 100ms DC 10ms 1ms 100us THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 50 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 260 oC/W TA = 25oC -VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Forward Bias Safe Operating Area Figure 10. 0 5 10 15 20 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 VGS = 0V TJ = 25oC TJ = 150oC -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Gate Leakage Current vs Gate to Source Voltage Figure 11. Transient Thermal Response Curve 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 0.1 1 10 100 V GS = -4.5V SINGLE PULSE RθJA = 260 oC/W T A = 25 oC t, PULSE WIDTH (s) Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted |
Số phần tương tự - FDG332PZ |
|
Mô tả tương tự - FDG332PZ |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |