công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N2102 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
2N2102 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
1 / 4 page 2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN s GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. ® INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM December 2002 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 65 V VCER Collector-Emitter Voltage (RBE ≤ 10Ω) 80 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 V IC Collector Current 1 A Ptot Total Dissipation at Tamb ≤ 25 oC at TC ≤ 25 oC 1 5 W W Tstg Storage Temperature -65 to 175 oC Tj Max. Operating Junction Temperature 175 oC TO-39 1/4 |
Số phần tương tự - 2N2102 |
|
Mô tả tương tự - 2N2102 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |