công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB20NM60T4 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB20NM60T4 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page STB20NM60/-1 - STP20NM60FP - STP20NM60 - STW20NM60 Electrical characteristics 5/18 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 300 V, ID = 10 A RG = 4.7Ω VGS = 10 V (see Figure 15) 25 20 42 11 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 20 80 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage ISD = 20 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD =20A, di/dt=100A/µs, VDD = 60 V (see Figure 20) 390 5 25 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD =20A, di/dt=100A/µs, Tj = 150°C, VDD = 60 V (see Figure 20) 510 6.5 26 ns µC A |
Số phần tương tự - STB20NM60T4 |
|
Mô tả tương tự - STB20NM60T4 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |