công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TLP665J bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
|
TLP665J bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
3 / 6 page TLP665J(S) 2007-10-01 3 Electrical Characteristics (Ta=25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF IF = 10 mA 1.0 1.15 1.3 V Reverse current IR VR = 5 V — — 10 μA Capacitance CT V = 0, f=1MHz — 30 — pF Peak off-state current IDRM VDRM =600V — 10 1000 nA Peak on-state voltage VTM ITM =100mA — 1.7 3.0 V Holding current IH — — 1.0 — mA Critical rate of rise of off-state voltage dv/dt Vin=240Vrms , Ta=85°C (Note3) — 500 — V/μs Critical rate of rise of commutating voltage dv/dt(c) Vin=60Vrms , IT =15mA (Note3) — 0.2 — V/μs Coupled Electrical Characteristics (Ta=25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit Trigger LED current IFT VT =6V — 5 10 mA Capacitance (input to output) CS VS =0 , f=1MHz — 0.8 — pF Isolation resistance RS VS =500V 1×10 12 10 14 — Ω AC , 1minute 5000 — — AC , 1second,in oil — 10000 — Vrms Isolation voltage BVS DC , 1minute,in oil — 10000 — Vdc (Note 3) dv/dt test circuit 1 2 3 4 6 Vcc + — Rin 120 Ω RL Vin 4k Ω dv/dt(c) dv/dt 0V +5V , VCC |
Số phần tương tự - TLP665J |
|
Mô tả tương tự - TLP665J |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |