công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB20NM60D bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STB20NM60D bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page STB20NM60D Electrical characteristics 5/13 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test condictions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD = 300V, ID = 10A RG =4.7Ω VGS = 10V (see Figure 12) 25 12 ns ns tr(Voff) tf tc Off-voltage rise time Fall time Cross-over time VDD = 480 V, ID = 20A, RG =4.7Ω, VGS = 10V (see Figure 12) 8 22 30 ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test condictions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 20 80 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %. Forward on voltage ISD = 20 A, VGS = 0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 20 A, Tj = 25°C di/dt =100A/µs,VDD=60V (see Figure 17) 240 1800 16 ns nC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 20 A, Tj = 150°C di/dt =100A/µs,VDD=60V (see Figure 17) 396 2960 20 ns nC A |
Số phần tương tự - STB20NM60D |
|
Mô tả tương tự - STB20NM60D |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |