công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BF1100 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BF1100 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 15 page NXP Semiconductors Product specification Dual-gate MOS-FETs BF1100; BF1100R LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Device mounted on a printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 14 V ID drain current − 30 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation see Fig.3 BF1100 up to Tamb =50 °C; note 1 − 200 mW BF1100R up to Tamb =40 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − +150 °C Fig.3 Power derating curves. handbook, halfpage 0 50 100 200 250 0 200 MLD155 150 150 100 50 Ptot (mW) T ( C) amb o BF1100R BF1100 Fig.4 Forward transfer admittance as a function of junction temperature; typical values. 50 0 50 150 40 0 MLD156 100 30 20 10 Yfs (mS) T ( C) j o Rev. 02 - 13 November 2007 3 of 15 |
Số phần tương tự - BF1100 |
|
Mô tả tương tự - BF1100 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |