công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP5NK80ZFP bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
STP5NK80ZFP bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 15 page Electrical characteristics STP5NK80Z - STP5NK80ZFP 6/15 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 4.3 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 17.2 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD= 4.3 A, VGS=0 1.6 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 4.3 A, di/dt = 100A/µs, VDD=40 V, Tj = 150°C (see Figure 20) 500 3 12 ns µC A |
Số phần tương tự - STP5NK80ZFP |
|
Mô tả tương tự - STP5NK80ZFP |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |