công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP12NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STP12NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page STB12NM60N/-1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N Electrical characteristics 5/18 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD = 300V, ID = 5A, RG = 4.7Ω, VGS = 10V (see Figure 17) 15 9 60 10 ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 10 40 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 10A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD =10A, di/dt =100A/µs, VDD = 100V, Tj = 25°C (see Figure 19) 360 3.5 20 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current VDD = 100V di/dt =100A/µs, ISD = 10A Tj = 150°C (see Figure 19) 530 5.20 20 ns µC A |
Số phần tương tự - STP12NM60N |
|
Mô tả tương tự - STP12NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |