công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS7PF30L bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STS7PF30L bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 11 page 2 Electrical characteristics STS7PF30L 4/11 Table 6. Source-Drain Diode (1) Pulse with limited by safe operating area (2) When mounted on 1inch² FR-4 board (t ≤ 10µs) (3) Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Note: For the P-CHANNEL MOSFET the polarity of voltages and current have to be reversed Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM Note 1 Source-Drain Current Source-Drain Current (pulsed) 7 28 A A VSD Forward On Voltage ISD = 7A, VGS = 0 1.2 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 7A, di/dt = 100A/µs VDD = 15V, Tj = 150°C (see Figure 15) 40 46 2.3 ns nC A |
Số phần tương tự - STS7PF30L |
|
Mô tả tương tự - STS7PF30L |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |