công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1469DH bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1469DH bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
2 / 3 page Vishay Siliconix SPICE Device Model Si1469DH SPECIFICATIONS (TJ = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Test Condition Simulated Data Measured Data Unit Static Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = −250 µA 1.1 V On-State Drain Current a ID(on) VDS ≤ −5 V, VGS = −4.5 V 37 A VGS = −10 V, ID = −2 A 0.064 0.065 VGS = −4.5 V, ID = −1.8 A 0.079 0.081 Drain-Source On-State Resistance a rDS(on) VGS = −2.5 V, ID = −1.5 A 0.124 0.126 Ω Forward Transconductance a gfs VDS = −10 V, ID = −2 A 9 6 S Diode Forward Voltage a VSD IS = −2 A −0.84 −0.83 V Dynamic b Input Capacitance Ciss 558 470 Output Capacitance Coss 104 105 Reverse Transfer Capacitance Crss VDS = −10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz 82 80 pF Total Gate Charge Qg 5 5.5 Gate-Source Charge Qgs 0.80 0.80 Gate-Drain Charge Qgd VDS = −10 V, VGS = −4.5 V, ID = −2.5 A 1.7 1.7 nC Notes a. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%. b. Guaranteed by design, not subject to production testing. 2 www.vishay.com Document Number: 74370 S-70353 Rev. A, 26-Feb-07 |
Số phần tương tự - SI1469DH |
|
Mô tả tương tự - SI1469DH |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |