công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB140NF55-1 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STB140NF55-1 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 15 page Electrical characteristics STB140NF55 - STB140NF55-1 - STP140NF55 4/15 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 3. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 250 µA, VGS = 0 55 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = Max rating VDS = Max rating, TC = 125 °C 1 10 µA µA IGSS Gate-body leakage current (VDS = 0) VGS = ±20V ±100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250µA 2 3 4 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS = 10 V, ID = 40 A 0.0065 0.008 Ω Table 4. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (1) 1. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VDS = 15V, ID= 40 A 100 S Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS = 25V, f = 1 MHz VGS = 0 5300 1000 290 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD = 44V, ID= 80A VGS =10V (see Figure 14) 142 27 55 nC nC nC |
Số phần tương tự - STB140NF55-1 |
|
Mô tả tương tự - STB140NF55-1 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |