GSS4532 datasheet(3/9 Pages) GTM

tên linh kiện	GSS4532

Giải thích chi tiết về linh kiện	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Download	9 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	GTM [GTM CORPORATION]

Trang chủ	http://www.gtm.com.tw

Logo

3 / 9 page

GSS4532

Page: 3/9

ISSUED DATE :2005/07/01

REVISED DATE :2005/09/29B

P-Channel Electrical Characteristics(Tj = 25

Unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

-30

-

V

VGS=0, ID=-250uA

Breakdown Voltage Temperature Coefficient

BVDSS /

Tj

-

-0.028

-

V/ :

Reference to 25 : , ID=-1mA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

-1.0

-

-3.0

V

VDS=VGS, ID=-250uA

Forward Transconductance

gfs

-

5

-

S

VDS=-10V, ID=-4A

Gate-Source Leakage Current

IGSS

-

D100

nA

VGS= D20V

Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )

-

-1

uA

VDS=-30V, VGS=0

Drain-Source Leakage Current(Tj=55 : )

IDSS

-

-25

uA

VDS=-24V, VGS=0

-

70

VGS=-10V, ID=-4A

Static Drain-Source On-Resistance

RDS(ON)

-

90

m Ł

VGS=-4.5V, ID=-3A

Total Gate Charge2

Qg

-

18.3

-

Gate-Source Charge

Qgs

-

3.6

-

Gate-Drain (“Miller”) Change

Qgd

-

1.5

-

nC

ID=-4A

VDS=-10V

VGS=-10V

Turn-on Delay Time2

Td(on)

-

8

-

Rise Time

Tr

-

9

-

Turn-off Delay Time

Td(off)

-

21

-

Fall Time

Tf

-

10

-

ns

VDS=-10V

ID=-1A

VGS=-10V

RG=6 Ł

RD=10 Ł

Input Capacitance

Ciss

-

760

-

Output Capacitance

Coss

-

345

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

90

-

pF

VGS=0V

VDS=-25V

f=1.0MHz

Source-Drain Diode

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Forward On Voltage2

VSD

-

-1.2

V

IS=-1.7A, VGS=0V, Tj=25 :

Continuous Source Current (Body Diode)

IS

-

-1.7

A

VD=VG=0V, VS=-1.2V

Pulsed Source Current (Body Diode)

1

ISM

-

-20

A

Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.

2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.

3. Surface mounted on FR4 board, t 10sec.

4. Pulse width 10us, duty cycle 1%.

Số phần tương tự - GSS4532

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GTM CORPORATION	GSS4500	436Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4501	423Kb / 9P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4501S	492Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4502	589Kb / 9P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4503	557Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

More results

Mô tả tương tự - GSS4532

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GTM CORPORATION	GSS4503	557Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4565	559Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GT2530	390Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	AP2030M	112Kb / 11P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	AP2530GY	85Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	AP2531GY	85Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	CJQ4503	5Mb / 6P	N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Cystech Electonics Corp...	MTC3588N6	856Kb / 12P	N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Advanced Power Electron...	AP4501GSD	96Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	AP4511GD	155Kb / 8P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	AP4569GD	96Kb / 7P	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

More results

GSS4532 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - GTM CORPORATION

GSS4532 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - GTM CORPORATION

Số phần tương tự - GSS4532

Mô tả tương tự - GSS4532

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

bảng dữ liệu tải về

Link URL