công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STFV4N150 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STFV4N150 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 13 page Electrical characteristics STFV4N150 4/13 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 4. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 1mA, VGS = 0 1500 V IDSS Zero gate voltage Drain current (VGS = 0) VDS = Max rating VDS = Max rating,TC = 125°C 10 500 µA µA IGSS Gate-body leakage current (VDS = 0) VGS = ± 30V ± 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 250µA 3 4 5 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS = 10V, ID = 2A 5 7 Ω Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (1) 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward transconductance VDS = 30V , ID = 2A 3.5 S Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0 1300 120 12 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD = 600V, ID = 4A, VGS = 10V (see Figure 15) 30 10 9 50 nC nC nC |
Số phần tương tự - STFV4N150 |
|
Mô tả tương tự - STFV4N150 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |