công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
J109 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - NXP Semiconductors |
|
J109 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - NXP Semiconductors |
2 / 7 page 1996 Jul 30 2 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110 FEATURES • High speed switching • Interchangeability of drain and source connections • Low RDSon at zero gate voltage (<8 Ω for J108). APPLICATIONS • Analog switches • Choppers and commutators. DESCRIPTION N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a TO-92 package. CAUTION The device is supplied in an antistatic package. The gate-source input must be protected against static discharge during transport or handling. PINNING - TO-92 PIN SYMBOL DESCRIPTION 1 g gate 2 s source 3 d drain Fig.1 Simplified outline and symbol. handbook, halfpage 1 3 2 MAM197 s d g QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage −±25 V VGSoff gate-source cut-off voltage ID =1 µA; VDS =5V J108 −3 −10 V J109 −2 −6V J110 −0.5 −4V IDSS drain current VGS = 0; VDS =5V J108 80 − mA J109 40 − mA J110 10 − mA Ptot total power dissipation up to Tamb =50 °C − 400 mW |
Số phần tương tự - J109 |
|
Mô tả tương tự - J109 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |