BYV118-45 datasheet(3/6 Pages) PHILIPS

tên linh kiện	BYV118-45

Giải thích chi tiết về linh kiện	Rectifier diodes Schottky barrier

Download	6 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

3 / 6 page

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

BYV118, BYV118B series

Schottky barrier

Fig.1. Maximum forward dissipation P

F = f(IF(AV)) per

diode; square current waveform where

I

F(AV) =IF(RMS) x √D.

Fig.2. Maximum forward dissipation P

F = f(IF(AV)) per

diode; sinusoidal current waveform where a = form

factor = I

F(RMS) / IF(AV).

Fig.3. Typical and maximum forward characteristic

I

F = f(VF); parameter Tj

Fig.4. Typical reverse leakage current per diode;

I

R = f(VR); parameter Tj

Fig.5. Typical junction capacitance per diode;

C

d = f(VR); f = 1 MHz; Tj = 25˚C to 125 ˚C.

Fig.6. Transient thermal impedance; per diode;

Z

th j-mb = f(tp).

0123456

78

0

1

2

3

4

5

D = 1.0

0.5

0.2

0.1

PBYR1045CTD

Rs = 0.034 Ohms

Vo = 0.43 V

T

I

D =

tp

T

t

Tmb(max) / C

150

Average forward current, IF(AV) (A)

Forward dissipation, PF (W)

155.5

141

146.5

132

137.5

0

25

50

100

10

1

0.1

0.01

Reverse current, IR (mA)

Reverse voltage, VR (V)

PBYR645CT

50 C

75 C

100 C

Tj = 25 C

125 C

01

2345

0

1

2

3

4

5

a = 1.57

1.9

2.2

2.8

4

PBYR1045CTD

Rs = 0.034 Ohms

Vo = 0.43 V

Tmb(max) / C

150

Average forward current, IF(AV) (A)

Forward dissipation, PF (W)

155.5

141

146.5

132

137.5

1

10

100

10

1000

100

Cd / pF

VR / V

PBYR645CT

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

0

5

10

15

20

BYV118

Forward voltage, VF (V)

Forward current, IF (A)

Tj = 25 C

Tj = 125 C

max

typ

0.01

0.1

1

10

BYV118

1us

10us

100us

1ms

10ms

100ms

1s

10s

pulse width, tp (s)

Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)

D =

tp

T

P

t

D

May 1998

3

Rev 1.300

Số phần tương tự - BYV118-45

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BYV118F	42Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier May 1998 Rev 1.100
	BYV118F-35	42Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier May 1998 Rev 1.100
	BYV118F-40	42Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier May 1998 Rev 1.100
	BYV118F-45	42Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier May 1998 Rev 1.100
	BYV118X	42Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier May 1998 Rev 1.100

More results

Mô tả tương tự - BYV118-45

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
EIC discrete Semiconduc...	SBT20	28Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
	ERA83-004	33Kb / 2P	SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES
	ERB81-004	43Kb / 2P	SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES
	ERB83-004	44Kb / 2P	SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES
	SB315SVF	32Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
	1N5817	16Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
NXP Semiconductors	BYV143F	33Kb / 5P	Rectifier diodes schottky barrier August 1996 Rev 1.100
	PBYL1025B	45Kb / 5P	Rectifier diodes Schottky barrier October 1998 Rev 1.100
	PBYL1625B	47Kb / 5P	Rectifier diodes Schottky barrier October 1998 Rev 1.100
	PBYR1045F	41Kb / 6P	Rectifier diodes Schottky barrier July 1998 Rev 1.200
	PBYR1645B	37Kb / 5P	Rectifier diodes Schottky barrier July 1998 Rev 1.200

More results

BYV118-45 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors

BYV118-45 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors

Số phần tương tự - BYV118-45

Mô tả tương tự - BYV118-45

Html Pages

1 2 3 4 5 6

bảng dữ liệu tải về

Link URL