công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BYV133F-45 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - NXP Semiconductors |
|
BYV133F-45 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - NXP Semiconductors |
2 / 5 page Philips Semiconductors Product specification Rectifier diodes BYV133F series schottky barrier ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC T hs = 25 ˚C unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT V isol Repetitive peak voltage from all R.H. ≤ 65% ; clean and dustfree - 1500 V three terminals to external heatsink C isol Capacitance from T2 to external f = 1 MHz - 12 - pF heatsink THERMAL RESISTANCES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT R th j-hs Thermal resistance junction to per diode - - 6 K/W heatsink both diodes - - 5 K/W (with heatsink compound) R th j-a Thermal resistance junction to in free air. - 55 - K/W ambient STATIC CHARACTERISTICS T j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT V F Forward voltage (per diode) I F = 7 A; Tj = 150˚C - 0.55 0.60 V I F = 20 A - 0.88 0.94 V I R Reverse current (per diode) V R = VRRM - 50 100 µA V R = VRRM; Tj = 125 ˚C - 4 15 mA C d Junction capacitance (per f = 1MHz; V R = 5V; Tj = 25 ˚C to - 300 - pF diode) 125 ˚C August 1996 2 Rev 1.100 |
Số phần tương tự - BYV133F-45 |
|
Mô tả tương tự - BYV133F-45 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |