công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BYV1020 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BYV1020 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 4 page 1996 May 13 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diodes BYV10 series ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25 °C; unless otherwise specified. Note 1. Pulsed test: tp = 300 µs; δ = 0.02. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOD81 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VF forward voltage IF = 0.1 A −− 390 mV IF =1A −− 550 mV IF =3A −− 850 mV IR reverse current VR =VRRMmax; note 1 −− 1 mA Cd diode capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz − 220 − pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 100 K/W |
Số phần tương tự - BYV1020 |
|
Mô tả tương tự - BYV1020 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |