công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB14NK50ZT4 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STB14NK50ZT4 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 19 page Electrical ratings STP14NK50Z - STP14NK50ZFP - STB14NK50Z - STB14NK50Z-1 - STW14NK50Z 4/19 1.1 Protection features og gate-to-source zener diodes The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components. Table 3. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit IAR Avalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by Tj Max) 12 A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj=25°C, Id=Iar, Vdd=50V) 400 mJ Table 4. Gate-source zener diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit BVGSO Gate-source breakdown voltage Igs=±1mA (Open Drain) 30 V |
Số phần tương tự - STB14NK50ZT4 |
|
Mô tả tương tự - STB14NK50ZT4 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |