công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
1N60-TM3-T bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Unisonic Technologies |
|
1N60-TM3-T bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Unisonic Technologies |
7 / 8 page 1N60 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 7 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-052,D TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS(cont.) -100 Junction Temperature, TJ (℃) -50 50 200 VGS=0V ID=250μA 100 150 1.2 Breakdown Voltage vs. Temperature 0 1.1 1.0 0.9 0.8 -100 Junction Temperature, TJ (℃) -50 50 200 VGS=10V ID=0.6A 100 150 3.0 On-Resistance vs. Temperature 0 2.0 1.0 0.5 0.0 1.5 2.5 101 10 -1 10 -2 Drain-Source Voltage, VDS (V) Max. Safe Operating Area 102 1ms 10 1 10 0 100μs 10ms DC 100 10 3 Operation in This Area is Limited by RDS(on) Tc=25℃ TJ=150℃ Single Pulse Case Temperature, TC (℃) 75 100 150 1.2 Max. Drain Current vs. Case Temperature 0.0 125 50 25 0.9 0.6 0.3 Square Wave Pulse Duration, t1 (sec) Thermal Response 100 10-5 10 0 10 -1 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 101 D=0.5 0.0 5 0.0 2 Single pulse 0.0 1 0.1 0.2 θJC (t) = 3.13℃/W Max. Duty Factor, D=t1/t2 TJM-TC=PDM×θJC (t) PDM t1 t2 |
Số phần tương tự - 1N60-TM3-T |
|
Mô tả tương tự - 1N60-TM3-T |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |