BUK856-800A datasheet(3/7 Pages) PHILIPS

tên linh kiện	BUK856-800A

Giải thích chi tiết về linh kiện	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

Download	7 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

3 / 7 page

Philips Semiconductors

Product Specification

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

BUK856-800A

Fig.1. Transient thermal impedance

Z

th j-mb = f(t) ; parameter D = tp/T

Fig.2. Normalised power dissipation.

PD% = 100.P

D/PD 25˚C = f(Tmb)

Fig.3. Turn-off Safe Operating Area

conditions: T

j ≤ Tjmax. ; RG = 50 Ω

Fig.4. Typical output characteristics, T

j=25 ˚C.

I

C=f(VCE); parameter VGE

Fig.5. Typical on-state characteristics

I

C=f(VCE); parameters Tj,VGE

Fig.6. Typical transfer characteristics

I

C=f(VGE) ; conditions: VCE=15 V; parameter Tj

1E-07

1E-05

1E-03

1E-01

1E+01

t / s

Zth j-mb / (K/W)

1E+01

1E+00

1E-01

1E-02

1E-03

0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

D =

tp

T

P

t

D

D =

0

10

20

VCE / V

IC / A

BUK8Y6-800A

50

40

30

20

10

0

515

7

8

9

20

15

10

VGE / V = 6

0

20

40

60

80

100

120

140

Tmb / C

PD%

Normalised Power Derating

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

2

4

6

VCEsat / V

IC / A

BUK8Y6-800A

50

40

30

20

10

0

Tj / C = 25

150

VGE / V =

15

10

13

5

0.1

1

10

100

0

200

400

600

800

1000

IC / A

VCE / V

BUK8y6-800

ICLM

0

2

4

6

8

10

12

VGE / V

IC / A

BUK8Y6-800A

50

40

30

20

10

0

Tj / C = 25

150

March 1993

3

Rev 1.000

Số phần tương tự - BUK856-800A

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BUK856-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT March 1993 Rev 1.000

More results

Mô tả tương tự - BUK856-800A

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BUK854-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT October 1994 Rev.1.100
ON Semiconductor	NGTB30N60IHLWG	180Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) November, 2012 ??Rev. 0
ON Semiconductor	NGTG30N60FLWG	174Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) January, 2013 ??Rev. 1
NXP Semiconductors	BUK856-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT March 1993 Rev 1.000
ON Semiconductor	NGTB30N60FLWG	182Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 0
	NGTB40N60IHLWG	184Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) November, 2012 ??Rev. 0
	NGTB50N60FWG	183Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 1
	NGTG50N60FWG	176Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 0
	NGTB30N60FWG	182Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 1
	NGTB50N60FLWG	187Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) January, 2013 ??Rev. 1
	NGTG30N60FWG	175Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 0

More results

BUK856-800A bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors

BUK856-800A bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors

Số phần tương tự - BUK856-800A

Mô tả tương tự - BUK856-800A

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

bảng dữ liệu tải về

Link URL