công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK854-800A bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK854-800A bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 7 page Philips Semiconductors Product Specification Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) BUK854-800A MECHANICAL DATA Dimensions in mm Net Mass: 2 g Fig.19. TO220AB; pin 2 connected to mounting base. Notes 1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent damage to MOS gate oxide. 2. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes. 3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8". 10,3 max 3,7 2,8 3,0 3,0 max not tinned 1,3 max (2x) 12 3 2,4 0,6 4,5 max 5,9 min 15,8 max 1,3 2,54 2,54 0,9 max (3x) 13,5 min October 1994 6 Rev.1.100 |
Số phần tương tự - BUK854-800A |
|
Mô tả tương tự - BUK854-800A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |