công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK854-800A bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK854-800A bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product Specification Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) BUK854-800A Fig.13. Typical Switching Times vs. R G conditions: I C = 6 A; VCL = 500 V; Tj = 125 ˚C Fig.14. Typical Switching Times vs. I C conditions: V CL = 500 V; RG = 25 Ω; Tj = 125˚C Fig.15. Test circuit for inductive load switching times. Fig.16. Typical Energy loss at turn-off vs. R G conditions: I C = 6 A; VCL = 500 V; Tj = 125 ˚C Fig.17. Typical Energy loss at turn-off vs. I C conditions: V CL = 500 V; RG = 25 Ω; Tj = 125˚C; parameter V CL Fig.18. Inductive Load Switching Times definitions. 1 100 Rg / Ohm t / ns BUK8Y4-800A 10000 1000 100 10 10 1000 td(off) tf 1 100 E(off) / mJ BUK8Y4-800A 2 1.5 1 0.5 0 Rg / Ohm 10 1000 0 10 20 IC / A E(off) / mJ BUK8Y4-800A 2 1.5 1 0.5 0 400 300 VCL / V = 500 515 0 10 IC / A t / ns BUK8Y4-800A 500 400 300 200 100 0 td(off) tf 515 : adjust for correct Ic VCC = VCL Lc D.U.T. R 0V t p 0R1 G VGE IC measure tr td(on) tc tf td(off) I V t t IC VGE VCE 10% 90% 90% 10% October 1994 5 Rev.1.100 |
Số phần tương tự - BUK854-800A |
|
Mô tả tương tự - BUK854-800A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |