công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK78150-55 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK78150-55 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 9 page Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS ™ transistor BUK78150-55 Standard level FET Fig.5. Typical output characteristics, T j = 25 ˚C. I D = f(VDS); parameter VGS Fig.6. Typical on-state resistance, T j = 25 ˚C. R DS(ON) = f(ID); parameter VGS Fig.7. Typical transfer characteristics. I D = f(VGS) ; conditions: VDS = 25 V; parameter Tj Fig.8. Typical transconductance, T j = 25 ˚C. g fs = f(ID); conditions: VDS = 25 V Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance. a = R DS(ON)/RDS(ON)25 ˚C = f(Tj); ID = 5 A; VGS = 10 V Fig.10. Gate threshold voltage. V GS(TO) = f(Tj); conditions: ID = 1 mA; VDS = VGS 02 468 10 0 2 4 6 8 10 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 8 10 16 ID/A VGS/V = 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 123456 789 10 gfs/S ID/A 012 34567 89 10 11 0 100 200 300 400 RDS(ON)mOhm ID/A 10 8 7 6.5 6 5.5 5 BUK98XX-55 -100 -50 0 50 100 150 200 0.5 1 1.5 2 2.5 Tmb / degC Rds(on) normalised to 25degC a 012345678 0 2 4 6 8 10 ID/A VGS/V Tj/C = 150 25 BUK78xx-55 -100 -50 0 50 100 150 200 0 1 2 3 4 5 Tj / C VGS(TO) / V max. typ. min. January 1998 4 Rev 1.000 |
Số phần tương tự - BUK78150-55 |
|
Mô tả tương tự - BUK78150-55 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |