công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STSJ60NH3LL bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STSJ60NH3LL bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 12 page Electrical characteristics STSJ60NH3LL 4/12 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 3. On/off states Symbol Parameter Test condictions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 250 µA, VGS = 0 30 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = Max rating VDS = Max rating @125°C 1 10 µA µA IGSS Gate-body leakage current (VDS = 0) VGS = ± 16V ±100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250µA 1 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS = 10V, ID = 7.5A VGS = 4.5V, ID = 7.5A 0.004 0.005 0.0057 0.0075 Ω Ω Table 4. Dynamic Symbol Parameter Test condictions Min. Typ. Max. Unit Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS=25V, f=1MHz, VGS = 0 1810 565 41 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD=15V, ID=15A VGS=4.5V (see Figure 13) 18 4.8 5.3 24 nC nC nC RG Gate input resistance f=1 MHz Gate DC Bias = 0 Test signal level = 20mV open drain 0.5 1.5 3 Ω |
Số phần tương tự - STSJ60NH3LL |
|
Mô tả tương tự - STSJ60NH3LL |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |